日本OMRON可編程控制器,歐姆龍可編程控制器特點(diǎn)
周期時(shí)間監(jiān)控支持（如果周期過長，單元將停止操作）：10～40,000ms（單位：10ms）
I/O刷新周期刷新、立即刷新、使用I/O REFRESH指令刷新
更改運(yùn)行模式時(shí)的I/O存儲(chǔ)保持功能支持（取決于輔助區(qū)域中的IOM保持位的ON/OFF狀態(tài)。）
負(fù)載OFF功能輸出單元中的所有輸出均可關(guān)閉（OFF）。

日本OMRON可編程控制器,歐姆龍可編程控制器特點(diǎn)
輸入響應(yīng)時(shí)間設(shè)定可為來自基本I/O單元的輸入設(shè)定時(shí)間常數(shù)。
增加時(shí)間常數(shù)可降低噪聲和振蕩的影響，或者減少以檢測(cè)輸入中更短的脈沖(*CS1基本I/O單元)。
程序檢查在項(xiàng)目開始操作時(shí)執(zhí)行，如無END指令和指令錯(cuò)誤。
 編程設(shè)備(編程器除外)也可用于檢查程序。
RUN輸出：以RUN模式或MONITOR模式運(yùn)行CPU單元時(shí)，內(nèi)部接點(diǎn)將為ON(閉合)。
 僅C200HW-PA204R、C200HW-PA209R和CS1D-PA207R電源單元提供這些端子。
電池壽命在環(huán)境溫度為25°C下為5年，
但在不利溫度和電源條件下壽命會(huì)短至1.1年。(電池組：CS1W-BAT01)*3 *4
CPU錯(cuò)誤(WDT)、I/O驗(yàn)證錯(cuò)誤、I/O總線錯(cuò)誤、存儲(chǔ)器錯(cuò)誤和電池錯(cuò)誤。

日本OMRON可編程控制器,歐姆龍可編程控制器特點(diǎn)
輔助區(qū)域中的字存儲(chǔ)了斷電次數(shù)、zui后一次斷電時(shí)間以及通電時(shí)間總長
數(shù)據(jù)寄存器DR0～DR15：存儲(chǔ)用于間接尋址的偏移值。每個(gè)寄存器有16位(1個(gè)字)。
索引寄存器IR0～I(xiàn)R15：保存間接尋址的PLC存儲(chǔ)器地址。每個(gè)寄存器有32位(2個(gè)字)。
任務(wù)標(biāo)志區(qū)域32(TK0000～TK0031)：任務(wù)標(biāo)志是只讀標(biāo)志，
在對(duì)應(yīng)循環(huán)任務(wù)可執(zhí)行時(shí)為ON，在對(duì)應(yīng)任務(wù)不可執(zhí)行或處于備用狀態(tài)時(shí)為OFF。
跟蹤存儲(chǔ)器4,000字(一個(gè)數(shù)據(jù)追蹤中可追蹤的數(shù)據(jù)zui多為500個(gè)采樣，每個(gè)采用為31位和6個(gè)字)。
文件存儲(chǔ)器存儲(chǔ)卡：可使用小型閃存卡(MS-DOS格式)。
并行處理模式程序執(zhí)行和外圍可同時(shí)執(zhí)行。
無電池操作用戶程序和系統(tǒng)參數(shù)自動(dòng)備份在閃存(標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備)中。
周期時(shí)間常數(shù)可能(1～32,000ms)(單位：1ms)